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三星電子近日宣布，其位于韓國水原市的全新半導體研發園區即將投入使用，這標志著該公司在推動下一代內存技術開發方面邁出了重要一步。新園區占地面積達109,000平方米，設有先進的實驗室和研發設施，旨在加強三星在全球半導體市場的領先地位。

新研發園區將主要專注于開發突破性內存解決方案，包括下一代DRAM、NAND閃存以及多種新興存儲技術。三星表示，這些技術將廣泛應用于人工智能、物聯網和自動駕駛等新興領域，以滿足未來對更高效、更快速數據處理的需求。

通過匯集最前沿的技術和頂尖的研發人才，新園區的啟動不僅為三星帶來強大的創新能力，還將促進與全球主要科技公司的合作，推動整個行業的技術進步。

三星電子副董事長表示：“我們對新研發園區的啟用感到自豪，它不僅代表了我們在半導體行業持續創新的承諾，也體現了我們為客戶提供最佳解決方案的決心。”

隨著多樣化研發項目的推進，新園區預計將在未來幾年內創造大量高科技就業機會，并推動相關產業鏈的發展，進一步鞏固韓國在全球半導體領域的重要地位。